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Intel et Micron, flash NAND 3 bpc en 25 nm

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Écrit par Communiqué de presse le 18-08-2010 -

e1g5rco6erugr3mq7shy.pngINTEL ET MICRON SONT LES PREMIÈRES À PRODUIRE DES ÉCHANTILLONS DE MÉMOIRE FLASH NAND à 3 BITS PAR CELLULE, GRAVÉE EN 25 NANOMÈTRES

Les deux entreprises annoncent la plus forte capacité de stockage et les puces NAND les plus petites du marché, débouchant sur une réduction des coûts pour toute une panoplie d'applications de stockage grand public

Paris, le 17 août 2010 – Les sociétés Intel et Micron Technology ont annoncé aujourd'hui la livraison de mémoire flash NAND de 3 bits par cellule (3 bpc) gravée en 25 nanomètres (nm), ce qui en fait les puces NAND les plus petites du secteur et celles dotées de la plus forte capacité de stockage. Les deux entreprises en ont expédié des échantillons à certains clients. La mise en production complète devrait intervenir d’ici à la fin de l’année.

Ces nouvelles puces mémoire 3 bpc de 64 gigabits (Gbit) en 25 nm se caractérisent par une plus forte rentabilité ainsi que par une capacité de stockage renforcée, à destination des marchés très concurrentiels des dispositifs USB, des cartes flash SD (Secure Digital) ainsi que de l'électronique grand public. La mémoire flash sert principalement au stockage de données, de photos et autres contenus multimédias, pour leur capture et leur transmission entre appareils informatiques et numériques : appareils photos et caméscopes numériques, baladeurs multimédias et tous types d'ordinateurs individuels. Or ces marchés sont soumis à une constante pression pour une augmentation de la capacité de stockage à petit prix.

0n236ta1ijzw87mj69sa.jpgConçues par la co-entreprise flash NAND IM Flash Technologies (IMFT), ces puces de 64 ou 8 gigaoctets stockent trois bits d’information par cellule, contre un ou deux bits jusque-là (cellules à un niveau ou multiniveau, SLC ou MLC). C’est pourquoi on appelle le 3 bpc des cellules TLC (Triple-Level Cells).
Pour une capacité identique, la puce est plus de 20 % plus petite que les mémoires MLC 25 nm de Micron, qui sont les plus petites de 8 Go du marché. Etant donné leur compacité intrinsèque, les puces de mémoire flash petit format sont tout particulièrement importantes pour les cartes flash grand public. La superficie de la matrice est de 131 mm² et elle est conditionnée en cartouche standard TSOP (Thin Smal-Outline Package).

Tom Rampone, Vice-président d’Intel chargé du NAND Solutions Group : « Avec le lancement en janvier de la plus petite matrice du marché gravée en 25 nm, rapidement suivi par le passage au 3 bits par cellule, toujours en 25 nm, nous continuons nos progrès et proposons à nos clients une série attractive de produits leaders. Nous prévoyons de mettre à profit le leadership en conception et en production d'IMFT pour proposer des produits à nos clients d’une rentabilité concurrentielle et de plus forte densité à partir des nouvelles puces NAND 25 nm TLC de 8 Go. »

Brian Shirley, Vice-Président de Micron chargé du NAND Solutions Group : « Le rôle de la mémoire NAND continuant de se renforcer pour les produits d'électronique grand public, nous considérons que le passage au TLC en 25 nm donne un avantage concurrentiel à notre gamme de produits NAND qui s’étoffe par ailleurs sans cesse. Nous travaillons déjà à qualifier les plus NAND TCL de 8 Go pour les designs de produits finis, dont des produits de plus grande capacité pour Lexar Media et Micron. »

Liens
Voici d'autres liens pour se tenir au courant de l'actualité d'Intel et de Micron :

Intel Corporation
Intel (NASDAQ : INTC) est le numéro un mondial du circuit intégré et du semi-conducteur. L'entreprise met au point des technologies, élabore des produits et entreprend des actions pour faire progresser en permanence les modes de vie et de travail. Des informations complètes sur la société sont disponibles sur le site Internet d’Intel à partir de la page www.intel.fr ou blogs.intel.com *.

Micron Technologies, Inc.
Micron Technology est l’un des plus grands fournisseurs mondiaux de solutions de pointe à base de semi-conducteurs. Par l’intermédiaire de son périmètre international, l’entreprise fabrique et commercialise de la mémoire DRAM et flash NAND ou NOR ainsi que d'autres technologies mémoires innovantes, solutions de conditionnement et systèmes à semi-conducteurs équipant le dernier cri des produits informatiques, grand public, pour les réseaux, l’informatique embarquée et l’informatique nomade. Les actions ordinaires de Micron sont cotées au NASDAQ sous le symbole MU. Pour en savoir plus sur Micro Technology, rendez-vous sur www.micron.com *.

* Page de destination en langue anglaise.

© 2010, Micron Technology, Inc. et Intel Corporation. Tous droits réservés. Les informations proposées sont susceptibles de modification sans préavis.

Micron et le logo Micro sont des marques déposées de Micron Technology, Inc.

Intel est une marque déposées ou enregistrées d’Intel Corporation ou de ses filiales, aux Etats-Unis et dans d’autres pays. Toutes les autres marques citées appartiennent à leurs propriétaires respectifs.

Ce communiqué comporte des prévisions relatives à la production de mémoire flash NAND 3 bpc de 64 Gbit. Les événements ou résultats avérés risquent de différer de manière sensible de ceux exprimés par ces prévisions. A ce sujet, on pourra consulter les documents que Micro dépose de temps à autre et de manière groupée auprès de la Securities and Exchange Commission (SEC) et, en particulier, ses formulaires 10-K et 10-Q les plus récents. Ces documents mentionnent d’importants facteurs susceptibles de faire différer de manière sensible les résultats effectifs et consolidés de l’entreprise de ceux qu’impliquent ces prévisions (voir la rubrique « Certain Factors »). Bien que l’entreprise estime que ses attentes telles que les reflètent ces prévisions sont raisonnables, elle ne saurait garantir des résultats, niveaux d’activités, performances et accomplissements futurs. 

 NDLR : Le contenu de ce communiqué n'engage que ses auteurs.

Source : Intel



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