Mercredi, 17 Juillet

Dernière mise à jour17/07/2019 04:53:26 AM GMT

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Mémoire vive

Un kit 32Go de DDR3 à 1866MHz pour Corsair.

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Corsair anticipe la sortie des Sandy Bridge-E et du chipset X79 d'Intel en annonçant son kit de DDR3 Dominator 32Go.


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Sous le nom barbare de CMT32GX3M4X1866C9 se cache le premier kit mondial quad channel de 32Go et la marque s'en félicite, c'est en fait un kit 4 x 8Go utilisant des puces triées pour leurs hautes performances, il fonctionne donc sur quatre canaux mais il a aussi été testé sur les plates-formes dual channel dont il est bien entendu compatible. Pour les caractéristiques, ces barrettes tournent à 1866MHz avec des timings de 9-10-9-27 le tout sur une tension de 1,5V.

Il utilise le radiateur DHX+ de la marque, déjà utilisée sur les Dominator GT, il peut être amélioré avec un kit de ventilation de la marque ( le Dominator Airflow ).
Pour les tarifs, on écope d'un tarif exhorbitant de 999$, il sera surement bon de se tourner vers des kits moins onéreux disponibles pour le commun des mortels et surtout si la société décline son kit en de plus petites capacités. Néanmoins, il pourra être intéressant de connaître ses capacités en overclocking et ses performances globales en tant que kit fonctionnant sur quatres canaux.


Du 20nm pour Samsung et 25nm pour Elpida

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Les deux géants de la mémoire annoncent leurs nouvelles puces de DDR3, Elpida dévoilant la première puce de 4Gigabit ( 512Mo )  gravée en 25nm tandis que Samsung présente ses modules gravées en 20nm.

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Pour sa puce de 512Mo, Elpida annonce, par rapport à la génération précédente en 30nm, des tensions en baisse de 30 à 50% en veille et 25 à 30% en fonctionnement. En plus de ces gains sur les tensions, le 25nm booste la productivité de 45%, toujours face à la génération 30nm.

Sa nouvelle puce de 512Mo pourra opérer à 1866MHz sur une tension de 1.35V ou 1.5V. La production de masse devrait débuter un peu plus tard dans l'année.

samsung_ddr3_20nm.pngLe sud-coréen ne se laisse pas abattre, puisque sa nouvelle usine "Line-16" basée dans le Samsung's Nano City Complex, située dans une province de la Corée du Sud, aura coûté la un investissement très lourd au constructeur. Cette usine inaugurée récemment a fourni les premiers échantillons viables de mémoire en 20nm, la production de masse étant déjà lancée.

Samsung va débuter la production par des modules de 256Mo mais rejoindra Elpida sur le terrain des modules de 512Mo en fin d'année pour produire des barettes de 16Go à 32Go. Ses puces sont annoncées 40% plus économes en énergie par rapport aux puces gravées en 30nm et la productivité augmente de 50%.

Pour la petite histoire, cette nouvelle usine est la plus imposante du monde avec un batiment de 12 étages et d'environ 200 000m2 d'espace de travail. Pas moins de 10 milliards de dollars auront été investis par Samsung dans cette usine pour consolider sa place de leader sur le marché de la mémoire.

De nouvelles puces DIMM chez ELPIDA.

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fu4zd8pq7bom4agz5m8c.jpgSuite à l'annonce faite en mai de cette année du développement de ses puces DIMM gravées en 25 nm, ELPIDA a livré ses premiers modules 2GB DDR3 basés sur ces mêmes puces.

ELPIDA, qui est la division mémoire vive de NEC-HITACHI, a récemment lancé en masse la production de puces 25 nm, ce qui ouvre de nouvelles perspectives en termes de prix et de puissance.

En effet, ce procédé de gravure offre un gain de 15%  en consommation électrique en charge et jusqu'à 20 % en veille, en comparaison avec les produits gravés en 30 nm de la marque. Ces modules fonctionneront à 1,5 V mais une version moins énergivore à 1,35 V est d'ores-et-déjà prévue. Ce procédé permet aussi de faire baisser le prix de revient par Gigabit et donc, avec un peu de chance, le prix final. ELPIDA prévoit aussi de décliner cette technologie en mémoire SO-DIMM ( i-e pour ordinateurs portables ), secteur dans lequel le fondeur est particulièrement présent.

Alors qu'à ce jour ne sont livrés que les modules 2GB, les modules 4GB sont, quant à eux, annoncés pour la fin de l'année.   

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Ci-dessus, le tableau des spécifications techniques livré par ELPIDA.

AMD étend sa gamme de produits

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AMD ( Advanced Micro Device ), l'un des deux principaux fondeurs ( comprendre producteur de CPU ) vient d'étendre contre toute attente sa gamme de produits à la mémoire vive.

AMD propose donc de nouveaux modules de mémoire DDR3 sous la marque RADEON. Selon le site officiel d' AMD, trois références sont prévues, toutes dans un facteur de forme DIMM ( id est pour les ordinateurs de salon ), chacune sur un segment du marché donné.

La première référence, nommée «  entertainment », est cadencée à 1333 MHz ( PC 10600 ), avec des taux de latence de 9-9-9 ; la deuxième référence est connue sous le nom «  Ultra-pro-gaming » ( avec une telle dénomination, pas d'équivoque quant à son utilisation … ), avec une fréquence de 1600 MHz ( PC 12800 ) avec des taux de latence de 11-11-11 et enfin une référence « entreprise » dont les spécifications ne sont pas encore arrêtées.

Le modèle « entertainment » est d'ores-et-déjà disponible au pays du Soleil Levant pour la somme de 20 USD ( environ 14 euros ). Cependant, aucun prix et aucune date de sortie n'ont été avancés pour les autres références.

Il va sans dire que le choix de la dénomination de la gamme ( RADEON ) n'est pas innocent et a pour objectif non dissimulé de permettre une plus grande lisibilité du produit auprès du grand public.

ADATA lance la première barrette mémoire pour gamers de 8 Go

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DDR3L 1333G : première sur le marché et dernier produit de la gamme XPG Gaming

ADATA Technology, 2ème producteur mondial de modules DRAM, complète sa gamme XPG Gaming en lançant un nouveau produit spécialement conçu pour satisfaire les besoins des joueurs les plus exigeants : le DDR3L 1333G, une barrette mémoire de 8Go. La société est la première à proposer sur le marché un produit avec une capacité de 8Go et une basse tension de seulement 1,35 Volts, fournissant d’excellentes performances système et des possibilités d’overclocking répondant aux exigences de puissance des gameurs.

Alex Wu, Responsable projet pour les modules DRAM gameurs, explique : « Avec la popularité des systèmes d’exploitation en 64-bit, avoir des mémoires à forte capacité est un prérequis dans l’esprit de la plupart des joueurs. Nous sommes les premiers à lancer sur le marché le DDR3L 1333G, un module mémoire avec une capacité de 8Go, produit qui complète notre gamme XPG Gaming. » Il ajoute que « ce produit est conçu pour fonctionner en 1,35 Volts, offrant aux joueurs une excellente stabilité et efficacité, et réduisant la chaleur résiduelle et les coûts liés à la consommation d’énergie. » Le DDR3L 1333G dispose d’une grande capacité de mémoire et d’une basse tension pour aider les joueurs à optimiser au maximum l’efficacité de leur système. En parallèle, la réduction de la consommation d’énergie contribue à la réduction des émissions de gaz carbone pour un environnement durable.

La barrette mémoire pour gameurs DDR3L 1333G annonce des temps de latence de 9-9-9-24 et dispose des mêmes standards en termes de performances et de compatibilité que l’ensemble des produits mémoire de la marque. Son processus de fabrication est conforme aux spécifications du JEDEC et toutes les puces mémoires utilisées subissent un processus de sélection rigoureux. L’utilisation de circuits imprimés de haute qualité et de diffuseurs thermiques en aluminium réduit efficacement la température de fonctionnement du module, permettant d’allonger de manière significative la durée de vie de la mémoire. Le produit est disponible avec une capacité de 8Go et en kit double de 16Go.

Disponibilité :

La nouvelle barrette DDR3L 1333G de la gamme XPG Gaming est distribuée via un réseau de grossistes et d’e-commerce sélectionnés dont :

- PIXMANIA : www.pixmania-group.com
- GROSBILL : www.grosbill.com


Prix publics conseillés :

- 8Go : 199€ TTC
- 16Go : 389€ TTC

Source : Open2Europe

59H Express : Mémoire Patriot Viper II Sector 7

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 C’est un kit de barrettes mémoire de la marque Patriot que nous vous proposons. Il s’agit des Viper II Sector 7, le haut de gamme de ce fabricant. Elles sont optimisées pour les plateformes de base Intel X58 et sont déclinées en 6, 12 et 24 Go. Nous allons les découvrir sans attendre.

" Patriot Memory est acteur important dans le secteur des produits mémoire de stockage de données. Fondée en 1985 et basée a Fremont, en Californie (Etats Unis), cette société conçoit, fabrique et commercialise ses produits à base de mémoire haute performances comme les barrettes de type DDR3, Clé USB 3.0 plus particulièrement en France. La gamme destinée aux « power users » que nous allons découvrons est la fameuse série « Viper II» reconnaissable avec son dissipateur thermique spécifique."

Accéder au test : 59hardware

Une nouvelle technologie de gravure à 20 nm, mise au point par Intel

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Grande innovation dans le domaine de la conception de mémoire flash. La société Intel, en collaboration avec Micron Technology, a en effet annoncé qu’elle a mis au point une technologie de gravure plus fine de 20 nm pour la fabrication de mémoire flash NAND.

Intel a ainsi conçu un périphérique de stockage qui a pu bénéficier de cette nouvelle technologie, dotée d’une mémoire de 8 Go. Elle servira notamment a concevoir des périphériques de stockage pour sauvegarder les données telles que les images, les musiques, les vidéos, les livres électroniques, etc. sur des appareils comme les smartphones et les tablettes tactiles.

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L’utilisation de plus en plus fréquente des nouveaux appareils tels que les smartphones et les tablettes tactiles a fait évoluer la conception des mémoires flash NAND. Les périphériques de stockage sont de plus en plus petits, sans pour autant diminuer leurs performances et leurs capacités. La réduction de la taille des périphériques de stockage donne aux constructeurs de l’espace supplémentaire pour augmenter celle de l’écran ou celle de la batterie par exemple. Leur principal objectif est d’améliorer la fonctionnalité des machines qu’ils fabriquent.
La collaboration entre Intel et Micron est un bel exemple d’entraide entre fabricants pour améliorer la technologie actuelle. Une telle coopération fera évoluer la conception de mémoire flash actuelle vers une version plus performante et plus petite.

Les sociétés Intel et Micron comptent lancer la production de leur nouveau périphérique de stockage de 8 Go d’ici la deuxième moitié de l’année 2011. Elles espèrent également se lancer dans la conception d’un dispositif de ce genre, mais qui pourra, cette fois-ci, stocker 16 Go de données. A l’avenir, elles seront capables de concevoir des périphériques dotés d’une mémoire flash de 128 Go et qui feront la taille d’un timbre-poste.

Test 59H : Barrette mémoire Kingston Hyper X Genesis 4 Go 2133 MHz

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 Aujourd’hui nous nous penchons sur des barrettes mémoire, les Kingston Hyper X Genesis 4 Go 2133 MHz. C’est une nouvelle gamme optimisée pour le chipset P67, elle se destine aux utilisateurs exigeants.

"Kingston Technology Company est le premier fabricant de mémoire indépendant au monde. Cette société fondée il y a 24 ans cette année propose aujourd’hui pas moins de 2000 produits basés sur la mémoire. Depuis janvier avec le lancement du nouveau chipset P67 d’Intel, Kingston en a profité pour introduire une nouvelle gamme de mémoire destinée aux « power users » sous le nom de Hyper X Genesis."

Accéder au test : 59hardware

HyperX 4 Go et 8 Go 1600MHz kits SO-DIMM, un nouveau produit de Kingston Technology

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Kingston Technology offre au public un nouveau concept de mémoire. Décliné en deux versions Kingston HyperX 4 Go et 8 Go 1600 MHz kits sous format SO-DIMM font leur apparition dans les catalogues Hardware.

njn1h2fa8hutawecyqex.jpgLa firme veut séduire les utilisateurs en leur concoctant ces deux versions de mémoires qu’elle qualifie de plus rapide jusqu’alors. Mark Tekunoff, Manager Senior Technology, Kingston n’a pas manqué de souligner que ces derniers HyperX SO-DIMM disposent les moyens adéquats pour stimuler la performance du système de PC portables. D’après ses dires, les HyperX SO-DIMM sont les meilleures alliées des cartes mères mini-ITX et des systèmes mobiles, grâce à ces mémoires de grande vitesse avec des modules à grande capacité.

La première version est caractérisée comme suit : Kingston HyperX mémoire - 4 Go : 2 x 2 Go - DIMM 240 broches - DDR3 (KHX1600C8D3K2/4GX) tandis que la seconde version aura comme référence Kingston HyperX mémoire 8 Go (2 x 4 Go) HyperX SO-DIMM.
Les deux versions utilisent les heatspreader HyperX avec leurs habits bleus et sont certifiées pour fonctionner à 1600 MHz avec des latences de 9-9-9-27 sous 1.5V comme tension d’alimentation. Les concepteurs garantissent une performance à vie avec leurs Kingston HyperX 4 Go et 8 Go 1600MHz kits SO-DIMM.

Compatibles avec les nouveaux processeurs Intel Core Mobile, ces mémoires permettraient aux  ordinateurs portables et aux plates-formes mobiles utilisant ce procédé d’Intel Core 2ème génération Mobile Processor Family de bénéficier d’une vitesse plus rapide.
Ces Kingston HyperX de 4 Go et de 8 Go seront accessibles avec respectivement 67 et 122 USD comme prix de vente.

Deux nouveaux modules chez A-Data

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A-Data nous présente deux nouveaux modules de mémoire de type DDR3 dans sa gamme XPG Gaming. Ces deux kits de 8 Go fonctionnent à une fréquence de 1866 et 2133 MHz avec le timing suivant : 9-11-9-27 à 1,65 Volt. Ils sont tous deux équipés d'un radiateur en aluminium et bénéficient d'une garantie à vie.

A l'heure actuelle, seul le module 1866G est disponible à un tarif approximatif de 125 €.

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Source : TCMag

Du spécial Sandy Bridge chez G.Skill

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iuhqabp3fdaftv01p2bd.jpgA l’occasion du lancement de ce nouveau processeur LGA 1155 et des chipsets adéquats H67 et P67, G.Skill propose la série RipjawsX.
La gamme est étendue puisque proposé sous plusieurs fréquences, 1,333MHz, 1,600MHz, 1,866MHz, 2,133MHz, 2,200MHz et 2,300MHz, au niveau des tensions, elles se situent à 1.5, 1.6 et 1.65 Volts.
Les capacités de ces barrettes mémoire sont de 4, 8 et 16 Go.

Les prix n’ont pas été révélés, la garantie est à vie avec un support par mail, par téléphone et par forum.

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Deux kits DDR3 haut de gamme Mushkin

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Mushkin dévoile donc deux nouveaux kits de mémoire DDR3 dans sa gamme  Redline et intégrant ses célèbres dissipateurs Ridgeback.
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Le constructeur propose un kit de 4 Go dual channel et un kit triple channel de 6 Go. Les deux fonctionnent à 1600 MHz et offrent des timings impressionnants de 6-8-6-24 pour 1,65V.
Les produits sont garantis à vie et les tarifs annoncés sont de 119 $ pour le  kit  4 Go (996970) et 179 $ pour le 6 Go (998970).

ADATA étend la gamme XPG Gaming V2.0 d’un kit double canal 2000G 8Go

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ADATA Technology, l’un des leaders mondiaux de solutions à mémoire flash (NAND) et de modules DRAM, annonce la disponibilité de son nouveau kit double canal DDR3 2000G 8Go appartenant à la série XPG™.

L’annonce de ce nouveau kit fait suite au récent lancement du DDR3 2400G de la série XPG et démontre la volonté d’ADATA de fournir des modules DRAM ultra performants aux gamers du monde entier.

l7xhyoog138tfmm6q6jt.jpgLe Must technologique pour les gamers aujourd’hui
Le kit XPG DDR3 2000G V2.0 possède des temps de latence de 9-11-9-27, intègre la technologie 2oz double-copper PCB (Printed Circuit Board) et comprend des diffuseurs thermiques en aluminium dotés de la Technologie Conductrice Thermique (TCT).

Alex Wu, Chef de Projet du département Gestion de Produit d’ADATA commente : « L’objectif de ce nouveau kit est de répondre au mieux aux exigences des gamers et adeptes d’ordinateurs, toujours en quête de mises à jour et d’augmentation de capacité de mémoire des modules DRAM. Le dernier complément de la série XPG, avec son dissipateur de chaleur au design original, associe rapidité et efficacité dans n’importe quelle circonstance. »

Pour obtenir une liste des points de vente, merci de consulter le site www.adata-group.com


NDLR : Le contenu de ce communiqué n'engage que ses auteurs.

Source : Open2Europe

Refroidir votre RAM chez Crucial

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Commercialisé sous la marque Ballistix, Crucial présente son nouveau module de refroidissement actif pour mémoire vive, l’Active Cooling Fan, ou Blactivecool.

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Dotés de deux ventilateurs 60 mm à 3000 tours/min., ce produit permet, selon le constructeur, d’optimiser la circulation du flux d’air au sein de votre boîtier en plus de sa fonction initiale de  refroidissement pour RAM. Crucial vous en propose d’ailleurs une démonstration par le biais d’une vidéo :



Mesurant 155 x 77,6 x 71,6 mm pour  200 g, le Blactivecool délivre un flux de 15CFM pour un niveau sonore de 28 dB. Il vous faudra le connecter avec le câble 3 ou 4 pins fourni.

Le module, garanti un an, est disponible sur le store en ligne de Crucial pour 21,52 € TTC.

Un nouveau kit mémoire chez ADATA

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5zxvp65oummn9zctnqzw.jpgIl intègre la série XPG Gaming qui se destine comme son nom l’indique aux gamers. Le kit XPG DDR3 2400G 4 Go annonce des temps de latence de 9-11-9-27, il est double canal. Sa tension d’alimentation est de 1.65 Volts.

Les puces sont testées en laboratoire avant d’être posées sur un PCB à huit couches. Les modules disposent d’un refroidisseur spécifique, ces barrettes sont taillées pour l’overclocking.

La disponibilité est immédiate pour un prix encore inconnu.

Irradiez votre PC avec Mushkin

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Mushkin dévoile aujourd’hui sa nouvelle gamme de barrettes RAM enrichies en uranium. Enfin, pas exactement, le constructeur nous assure que ses nouveaux modules sont garantis sans radiation !
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La nouvelle gamme Radioactive offrira des kits de 4 ou 6 Go à 1,65 V pour les gamers utilisant un socket  LGA 1156 et 1366. Mushkin proposera trois  références pour le lancement cette nouvelle famille : en  DDR3 1280 Mhz, 3x2Go et 2X2 Go avec des timings de 6-8-6-24 et un kit à 1600 Mhz de 3X2 Go pour des timings de 8-10-8-27.
Les modules seront équipés du dissipateur thermique Radioactive Frostbyte qui devraient permettre de jouer un peu avec les fréquences en conservant une température raisonnable.

De la Ram que l’on verrait bien  intégrée dans ce genre de mod PC :
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De la RAM SODIMM à 1600 MHz chez Super Talent

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Le constructeur de mémoire californien annonce qu’il est en train de produire la première mémoire   vive 4Gb SODIMM au monde cadencée à 1600 MHz grâce à un overclocking d’usine

Super Talent souhaite ainsi proposer des modules hautes performances pour les stations de travail mobiles et les portables pour joueurs.
Si le gain de performances pures reste à mesurer, Super Talent  franchit enfin la fréquence de 1333 Mhz et pourrait entraîner les autres constructeurs dans sa course afin d’offrir des mémoires à hautes fréquences pour les  joueurs.
La firme annonce d’ailleurs son premier partenariat avec HP et l’intégration des ses barrettes dans une station de travail mobile l’ Envy 17-1011NR. (17 pouces, Core i7-720QM, 8GB RAM , HD 5850 à 1500 $).
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De la RAM 8Go SoDIMM Samsung

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yt5g7hg9r34nd118x7jn.jpgSamsung annonce aujourd’hui le début de la production en masse de modules  RAM  de  8Go SODIMM  à destination des portables et stations de travail mobiles  professionnelles.
Dell sera le premier constructeur à intégrer quatre de ces module DDR3 gravés en 40 nm dans un portable 17 pouces,  le M6500, soit 32Go de mémoire vive au total.
Avec une fréquence de 1322MHz et une tension de 1,5V, Samsung affirme que ces nouvelles barrettes  offrent une économie d’énergie de 67% par rapport à la mémoire 1,8V DDR2 et consomment   53 % de moins que 4Go de DDR3 standard.
On ne sait pas cependant si Samsung envisage à terme de proposer ces modules au grand public, et surtout quel pourrait être le tarif de telles barrettes haute densité.

Intel et Micron, flash NAND 3 bpc en 25 nm

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e1g5rco6erugr3mq7shy.pngINTEL ET MICRON SONT LES PREMIÈRES À PRODUIRE DES ÉCHANTILLONS DE MÉMOIRE FLASH NAND à 3 BITS PAR CELLULE, GRAVÉE EN 25 NANOMÈTRES

Les deux entreprises annoncent la plus forte capacité de stockage et les puces NAND les plus petites du marché, débouchant sur une réduction des coûts pour toute une panoplie d'applications de stockage grand public

Paris, le 17 août 2010 – Les sociétés Intel et Micron Technology ont annoncé aujourd'hui la livraison de mémoire flash NAND de 3 bits par cellule (3 bpc) gravée en 25 nanomètres (nm), ce qui en fait les puces NAND les plus petites du secteur et celles dotées de la plus forte capacité de stockage. Les deux entreprises en ont expédié des échantillons à certains clients. La mise en production complète devrait intervenir d’ici à la fin de l’année.

Ces nouvelles puces mémoire 3 bpc de 64 gigabits (Gbit) en 25 nm se caractérisent par une plus forte rentabilité ainsi que par une capacité de stockage renforcée, à destination des marchés très concurrentiels des dispositifs USB, des cartes flash SD (Secure Digital) ainsi que de l'électronique grand public. La mémoire flash sert principalement au stockage de données, de photos et autres contenus multimédias, pour leur capture et leur transmission entre appareils informatiques et numériques : appareils photos et caméscopes numériques, baladeurs multimédias et tous types d'ordinateurs individuels. Or ces marchés sont soumis à une constante pression pour une augmentation de la capacité de stockage à petit prix.

0n236ta1ijzw87mj69sa.jpgConçues par la co-entreprise flash NAND IM Flash Technologies (IMFT), ces puces de 64 ou 8 gigaoctets stockent trois bits d’information par cellule, contre un ou deux bits jusque-là (cellules à un niveau ou multiniveau, SLC ou MLC). C’est pourquoi on appelle le 3 bpc des cellules TLC (Triple-Level Cells).
Pour une capacité identique, la puce est plus de 20 % plus petite que les mémoires MLC 25 nm de Micron, qui sont les plus petites de 8 Go du marché. Etant donné leur compacité intrinsèque, les puces de mémoire flash petit format sont tout particulièrement importantes pour les cartes flash grand public. La superficie de la matrice est de 131 mm² et elle est conditionnée en cartouche standard TSOP (Thin Smal-Outline Package).

Tom Rampone, Vice-président d’Intel chargé du NAND Solutions Group : « Avec le lancement en janvier de la plus petite matrice du marché gravée en 25 nm, rapidement suivi par le passage au 3 bits par cellule, toujours en 25 nm, nous continuons nos progrès et proposons à nos clients une série attractive de produits leaders. Nous prévoyons de mettre à profit le leadership en conception et en production d'IMFT pour proposer des produits à nos clients d’une rentabilité concurrentielle et de plus forte densité à partir des nouvelles puces NAND 25 nm TLC de 8 Go. »

Brian Shirley, Vice-Président de Micron chargé du NAND Solutions Group : « Le rôle de la mémoire NAND continuant de se renforcer pour les produits d'électronique grand public, nous considérons que le passage au TLC en 25 nm donne un avantage concurrentiel à notre gamme de produits NAND qui s’étoffe par ailleurs sans cesse. Nous travaillons déjà à qualifier les plus NAND TCL de 8 Go pour les designs de produits finis, dont des produits de plus grande capacité pour Lexar Media et Micron. »

Liens
Voici d'autres liens pour se tenir au courant de l'actualité d'Intel et de Micron :

Intel Corporation
Intel (NASDAQ : INTC) est le numéro un mondial du circuit intégré et du semi-conducteur. L'entreprise met au point des technologies, élabore des produits et entreprend des actions pour faire progresser en permanence les modes de vie et de travail. Des informations complètes sur la société sont disponibles sur le site Internet d’Intel à partir de la page www.intel.fr ou blogs.intel.com *.

Micron Technologies, Inc.
Micron Technology est l’un des plus grands fournisseurs mondiaux de solutions de pointe à base de semi-conducteurs. Par l’intermédiaire de son périmètre international, l’entreprise fabrique et commercialise de la mémoire DRAM et flash NAND ou NOR ainsi que d'autres technologies mémoires innovantes, solutions de conditionnement et systèmes à semi-conducteurs équipant le dernier cri des produits informatiques, grand public, pour les réseaux, l’informatique embarquée et l’informatique nomade. Les actions ordinaires de Micron sont cotées au NASDAQ sous le symbole MU. Pour en savoir plus sur Micro Technology, rendez-vous sur www.micron.com *.

* Page de destination en langue anglaise.

© 2010, Micron Technology, Inc. et Intel Corporation. Tous droits réservés. Les informations proposées sont susceptibles de modification sans préavis.

Micron et le logo Micro sont des marques déposées de Micron Technology, Inc.

Intel est une marque déposées ou enregistrées d’Intel Corporation ou de ses filiales, aux Etats-Unis et dans d’autres pays. Toutes les autres marques citées appartiennent à leurs propriétaires respectifs.

Ce communiqué comporte des prévisions relatives à la production de mémoire flash NAND 3 bpc de 64 Gbit. Les événements ou résultats avérés risquent de différer de manière sensible de ceux exprimés par ces prévisions. A ce sujet, on pourra consulter les documents que Micro dépose de temps à autre et de manière groupée auprès de la Securities and Exchange Commission (SEC) et, en particulier, ses formulaires 10-K et 10-Q les plus récents. Ces documents mentionnent d’importants facteurs susceptibles de faire différer de manière sensible les résultats effectifs et consolidés de l’entreprise de ceux qu’impliquent ces prévisions (voir la rubrique « Certain Factors »). Bien que l’entreprise estime que ses attentes telles que les reflètent ces prévisions sont raisonnables, elle ne saurait garantir des résultats, niveaux d’activités, performances et accomplissements futurs. 

 NDLR : Le contenu de ce communiqué n'engage que ses auteurs.

Source : Intel

De la Ram HyperX watercoolé chez Kingston

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Dans son communiqué de presse , le fabricant de mémoires annonce la sortie de nouveaux kits  DDR 3 équipés pour le water cooling nommés simplement , HyperX H2O.
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Kingston propose ainsi trois kits pour le lancement de la gamme : deux 4 Go en dual channel  ( 2000 et 2133 Mhz) et un 6 Go triple channel cadencé à 2000  Mhz, avec un voltage de 1,65V.
Le constructeur offre donc une solution haut de gamme pour les amateurs de solutions watercoolées et vient compléter sa large gamme  de mémoire RAM existante.
Ces produits sont optimisés pour le  XMP (« Xtreme Memory Profil) » , technologie facilitant l’overclocking) et devraient être disponibles prochainement dans nos contrées.

Ci-dessous un récapitulatif des références (les prix annoncés sont uniquement pour le marché américain) :

KHX2000C9D3W1K2/4GX     4GB DDR3 2000MHz (CL9-11-9-27) kit of 2   $ 157.00
KHX2133C9D3W1K2/4GX     4GB DDR3 2133MHz (CL9-11-9-27) kit of 2   $ 205.00
KHX2000C9D3W1K3/6GX     6GB DDR3 2000MHz (CL9-10-9-27) kit of 3   $ 235.00

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