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Dernière mise à jour14/12/2018 04:37:55 PM GMT

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SK Hynix développe une mémoire DRAM DDR4 gravée en 8 nm

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SK Hynix Inc. a annoncé avoir mis au point un module de DRAM DDR4 de 8GB.

YqSfBNZiXyZhc68wSa particularité est d'être gravée en seulement 8nm.

En théorie, plus la gravure est "petite", plus il est possible d'intégrer un grand nombre de transistors (ou de cellules le cas échéant). Mais ce bénéfice n'est pas le seul, le dégagement thermique est moindre puisqu'il faut un voltage plus faible à la tension pour que la puce fonctionnement de manière optimale.
SK Hynix a donc réalisé de sérieux progrès car le rendement de ses modules mémoires est supérieur à vingt pour cents.
La consommation d'énergie elle de son côté diminue de quinze pour cents. Les taux de transferts réalisés lors des tests ont atteint 3200 Mbps.
Ces gains ont notamment pu être obtenus grâce à un mécanisme de synchronisation reposant sur quatre phases. Concrêtement cette astuce double le signal de la vitesse d'horloge.
En contre partie les systèmes correction d'erreurs doivent être bien plus performants. C'est la contre partie d'une finesse de gravure plus petite.
Dans un premier temps, ces modules seront destinés aux marchés du mobile et des serveurs. Ensuite ce sera le tour à nos PC Desktop.

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